AP-CVD法制備的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)及親水性研究

基于實現(xiàn)在線鍍膜的目的,研究了以TiCl4為鈦源,用AP-CVD法在玻璃基板上制備TiO2薄膜的工藝.利用掃描電子顯微(SEM)技術(shù)和X射線衍射(XRD)技術(shù),研究了不同基板反應(yīng)溫度下薄膜的表面形貌和晶體結(jié)構(gòu),分析了表面形貌和結(jié)構(gòu)對親水性的影響.結(jié)果表明通過改變反應(yīng)溫度可以控制銳鈦礦和金紅石的相對量,薄膜的親水性和表面形貌、粗糙度有密切的關(guān)系.

作 者：   作者單位：   刊 名： 真空科學與技術(shù)學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2004 24(z1)  分類號： O484.4  關(guān)鍵詞： 二氧化鈦薄膜   AP-CVD   親水性   TiCl4  

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