Eu2+摻雜Sr2SiO4長余輝材料的熱釋光研究

摘要：采用高溫固相法在弱還原的氣氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黃色長余輝材料.通過X射線衍射(XRD)分析發現所制得的樣品屬于α-Sr2 SiO4斜方品系結構；樣品的光致發光特性表明,在320 nm激發光的照射下,出現峰位為490 nm的寬帶發射峰.樣品余輝特性顯示:樣品的余輝衰減曲線符合雙指數衰減.在溫度293～598 K內樣品有4個熱釋光峰,峰值溫度在346,420,457和552K附近.不同的等待時間熱釋光曲線表明:在衰減過程中,熱釋光峰位置發生移動,顯示材料中存在缺陷能帶；同時不同深度的陷阱能級衰減規律不同,表明了陷阱能級之間存在電子轉移現象. 作者： 彭鐵球  王銀海  李亞  熊毅 Author： PENG Tie-qiu  WANG Yin-hai  LI Ya  XIONG Yi 作者單位： 廣東工業大學物理與光電工程學院,廣東廣州,510006 期 刊： 光譜學與光譜分析   ISTICEISCIPKU Journal： Spectroscopy and Spectral Analysis 年，卷(期)： 2011, 31(12) 分類號： O433 關鍵詞： 長余輝    熱釋光    Sr2SiO4    高溫固相法    陷阱能級    機標分類號： O48 P61 機標關鍵詞： 摻雜    長余輝材料    熱釋光峰    Long Afterglow    樣品    陷阱能級    熱釋光曲線    高溫固相法    指數衰減    余輝特性    顯示材料    峰值溫度    衰減曲線    衰減過程    衰減規律    射線衍射    光致發光    電子轉移    等待時間    存在缺陷 基金項目： 國家自然科學基金 Eu2+摻雜Sr2SiO4長余輝材料的熱釋光研究[期刊論文]  光譜學與光譜分析 --2011, 31(12)彭鐵球  王銀海  李亞  熊毅采用高溫固相法在弱還原的氣氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黃色長余輝材料.通過X射線衍射(XRD)分析發現所制得的樣品屬于α-Sr2 SiO4斜方品系結構；樣品的光致發光特性表明,在320 nm激發光的照射下,出現峰位為490 nm的寬帶發...

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