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LGS晶體的化學腐蝕及缺陷分布
采用提拉法生長得到LGS單晶,采用磷酸作腐蝕劑,對LGS晶體做了一系列腐蝕實驗.實驗結果表明:對于不同方向晶面,腐蝕液的配比和腐蝕時間等條件各不相同.根據腐蝕坑可以判定.其極軸是二次軸[1120]方向,并可具體確定極軸方向.關于腐蝕坑的分布可以判定,在現行條件下生長的晶體具有較高的質量.
李軍(山東中晶光電子公司,山東,濟南,250100)
刊 名: 功能材料 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年,卷(期): 2003 34(2) 分類號: O738 O77 O78 關鍵詞: La3Ga5SiO14 化學腐蝕 缺陷 提拉法【LGS晶體的化學腐蝕及缺陷分布】相關文章:
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