含單負材料的光子晶體的缺陷模和透射譜

用傳輸矩陣法分析了由2類單負材料組成的含缺陷一維光子晶體的缺陷模及透射譜.結果表明:當缺陷為一層單負材料時,零有效相位帶隙中出現2個缺陷模,且缺陷模的頻率可通過缺陷層的厚度和2種單負材料的厚度比來調節.當缺陷為1組單負磁導率材料和單負介電材料組成的雙缺陷時,通過選取合適的參數滿足平均磁導率和平均介電常數都為零時,帶隙中未出現缺陷模,而且帶寬保持不變,帶邊電場也隨著雙缺陷厚度的增加而被強烈的局域.

作 者： 黃永清 HUANG Yong-qing   作者單位： 江西中醫藥高等�？茖W校公共與社科部,江西,撫州,344000  刊 名： 江西科學  ISTIC 英文刊名： JIANGXI SCIENCE  年，卷(期)： 2009 27(6)  分類號： O431.1  關鍵詞： 光子晶體   單負材料   缺陷模   傳輸矩陣法  

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