一維摻雜光子晶體的缺陷模和偏振特性研究

利用特征矩陣法研究了兩種偏振光通過一維摻雜光子晶體的缺陷模特征和偏振特性,結果表明:S偏振光的缺陷模對應的入射角隨著入射波長的增大而增大,而P偏振光的缺陷模對應的入射角卻隨著入射波長的增大而減小;P偏振光存在明顯的"廣義布儒斯特角"對應的允許帶,其"廣義布儒斯特角"隨著入射波長的增大而減小,S偏振光不存在"廣義布儒斯特角".

作 者： 劉啟能 LIU Qi-neng   作者單位： 重慶工商大學理學院,重慶,400067  刊 名： 激光雜志  ISTIC PKU 英文刊名： LASER JOURNAL  年，卷(期)： 2007 28(1)  分類號： O4  關鍵詞： 摻雜光子晶體   缺陷模   偏振特性  

【一維摻雜光子晶體的缺陷模和偏振特性研究】相關文章：

一維多層摻雜光子晶體缺陷模的偏振特性04-26

二維損耗和色散介質光子晶體傳輸特性的研究04-26

對稱和非對稱結構光子晶體光纖產生超連續光譜特性的研究04-26

γ-LiAlO2晶體的生長缺陷研究04-27

單模光纖中偏振模色散測量方法的研究04-27

氟摻雜的氧化鋅薄膜的結構和光學特性04-27

N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性04-26

紅外InGaAs/InP單光子探測器的溫度特性研究04-26

一維光子晶體濾波器濾波性能的影響因素研究04-26

利用慢度曲面及偏振態研究六方晶系晶體的鐵彈相變04-27