一維多層摻雜光子晶體缺陷模的偏振特性

為了研究多層摻雜對一維光子晶體缺陷模偏振特性的影響,采用特征矩陣法計算了一維光子晶體雙層摻雜和三層摻雜情況下缺陷模的偏振特征.結果表明:雙層摻雜時,TE波和TM波都出現了兩個缺陷模,兩個缺陷模隨入射角的增加向短波方向移動,TE波的兩個缺陷模隨入射角的增加而減弱,而TM波的兩個缺陷模隨入射角的增加而增強.三層摻雜時,TE波和TM波也都出現了兩個缺陷模,但比兩層摻雜的缺陷模要弱,TE波和TM波的兩個缺陷模隨入射角的變化特征與雙層摻雜的情況相似.

作 者： 劉啟能 Liu Qi-neng   作者單位： 重慶工商大學,廢油資源化技術與裝備工程研究中心,計算機科學與信息工程學院,重慶,400067  刊 名： 半導體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O436  關鍵詞： 光子晶體   特征矩陣   缺陷模   多摻雜  

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