堇青石基體化學氣相沉積碳化硅薄膜及其性能表征

采用等溫等壓化學氣相沉積技術,分別以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2為氣源,在沉積溫度1100和1000℃、壓力101kPa條件下,制備了SiC薄膜.利用SEM和XRD、顯微拉曼光譜、EDAX元素分析、HRTEM等測試技術對沉積薄膜的結構和組成進行了表征.結果表明,1100℃時,以CH3SiCl3-H2為氣源沉積得到純凈的SiC薄膜,以β-SiC(111)面擇優定向生長,由微米級的金字塔錐形結構組成,硅含量隨著沉積溫度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2為氣源沉積得到非晶態碳摻雜的SiC薄膜,碳含量隨著沉積溫度降低而增加此外,以CH3SiCl3-H2為氣源沉積的SiC顆粒平均粒徑均比以SiCl4-CH4-H2為氣源的粒徑大.前者SiC薄膜的方塊電阻在kΩ級以上,且隨著沉積溫度的下降急劇升高;后者1100℃時制備的薄膜的方塊電阻在kΩ級以上,且隨著沉積溫度的降低而急劇下降,1000℃時降低到Ω級.

作 者： 尹博文 楊艷 馬兵 張偉剛 YIN Bo-wen YANG Yan MA Bing ZHANG Wei-gang   作者單位： 尹博文,楊艷,YIN Bo-wen,YANG Yan(中國科學院過程工程研究所多相復雜系統國家重點實驗室,北京100190;中國科學院研究生院,北京100049)

馬兵,張偉剛,MA Bing,ZHANG Wei-gang(中國科學院過程工程研究所多相復雜系統國家重點實驗室,北京,100190) 

刊 名： 過程工程學報  ISTIC PKU 英文刊名： THE CHINESE JOURNAL OF PROCESS ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 8(3)  分類號： O484  關鍵詞： 化學氣相沉積   β-SiC   堇青石   表征  

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