ZnSe復合孿晶納米帶的TEM表征

通過熱蒸發的方法在鍍金的硅襯底上得到了硒化鋅(ZnSe)復合孿晶納米帶.利用透射電鏡選區電子衍射(SAED)方法并結合明場像確定了ZnSe復合孿晶納米帶的結構及生長方向,發現ZnSe復合孿晶納米帶由取向互為{113}鏡面孿晶的兩個納米子帶組成,單個納米子帶又由納米量級的<111>旋轉孿晶片層構成.采用會聚束電子衍射(CBED)技術確定了ZnSe復合孿晶納米帶沿<111>方向的極性.根據CBED結果并結合實驗過程的設定,對ZnSe復合孿晶納米帶的形成機制進行了討論.

作 者： 曹廣義 金磊 王建波 CAO Guang-yi JIN Lei WANG Jian-bo   作者單位： 武漢大學,物理學院,聲光材料與器件教育部重點實驗室,湖北武漢430072;武漢大學,電子顯微鏡中心,湖北武漢430072  刊 名： 電子顯微學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY  年，卷(期)： 2008 27(3)  分類號： O762 O766+.1 TN304.2+5  關鍵詞： 復合孿晶納米帶   硒化鋅   會聚束電子衍射   選區電子衍射  

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