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等離子體源離子注入半圓碗狀球內壁離子能量和角度分布
在等離子體源離子注入(PSII)技術中,被加工材料表明形狀的彎曲使附近鞘層中電場結構出現聚焦效應,從而引起離子束流和離子注入劑量在材料表明上分布非常不均勻.在半圓容器表面情況下,這種情況尤為明顯.利用Monte Carlo方法,考察了有共心附加零電位電極時半圓容器內底中央部位Ar+注入能量和角度分布及真空室中氣壓參數的影響.通過在不同半徑的鞘層邊界上隨機抽取與半徑成正比的離子數量,計算了注入到內底表面的所有離子能量分布和角度分布.在模型中,通過考慮兩種主要碰撞過程:電荷交換碰撞和彈性碰撞.對不同工作氣壓下的離子注入進行了考察.隨著中性氣體壓力的增加,離子在穿越鞘層的過程中與中性粒子經歷比較頻繁的碰撞.這些碰撞一方面使離子失去能量,另一方面也使離子改變運動方向,導致注人的低能離子和不垂直于表面入射的離子增多.
作 者： 劉成森 吳雪飛 高昕昕 LIU Cheng-sen WU Xue-fei GAO Xin-xin 作者單位： 劉成森,吳雪飛,LIU Cheng-sen,WU Xue-fei(遼寧師范大學,物理與電子技術學院,遼寧,大連,116029)高昕昕,GAO Xin-xin(大連理工大學,物理與光電工程學院,遼寧,大連,116024)
刊 名： 遼寧師范大學學報(自然科學版) ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LIAONING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 2008 31(3) 分類號： O539 關鍵詞： 等離子體源離子注入 Monte Carlo模擬 能量分布 角度分布【等離子體源離子注入半圓碗狀球內壁離子能量和角度分布】相關文章：
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