β-FeSi2薄膜的結構與光電特性

用磁控濺射法沉積了Fe/Si多層膜和Fe單層膜,在真空和Ar氣中熱退火2 h后制備了β-FeSi2半導體光電薄膜.發現Fe/Si多層膜在880℃溫度下熱退火后,制備的β-FeSi:薄膜的XRD結果均呈現β(220)/(202)擇優取向,而Fe單層膜制備的β-FeSi2樣品則呈無規則取向.原子力顯微鏡分析表明,Ar氣退火的樣品表面粗糙度大于真空退火的樣品.根據光吸收譜測量,Fe/Si多層膜制備的β-FeSi2薄膜的禁帶寬度室溫下為0.88 eV.由Fe/Si多層膜制備的β-FeSi2薄膜具有明顯的光電導效應,這種效應在真空退火樣品中更為顯著,在40W光源照射下,光電導效應大于30%.

作 者： 祝紅芳 SHEN Hong-lie 尹玉剛 LU Lin-feng ZHU Hong-fang SHEN Hong-lie YIN Yu-gang LU Lin-feng   作者單位：   刊 名： 南昌大學學報（理科版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2008 32(3)  分類號： O484.1 TQ320.72  關鍵詞： β-FeSi2薄膜   磁控濺射   擇優取向   光電導效應  

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