碳納米管場致發射中的空間電荷效應

采用微波等離子體化學氣相沉積(MWPCVD)方法成功制備以碳納米管束為單元的場致發射陣列,獲得很好的場致發射電流發射特性,在電流密度較大時,發現I-V特性偏離由Fowler-Nordheim公式計算出的結果.采用Electron Beam Simulation(EBS)軟件進行模擬分析發現:在電流密度較低時,I-V特性能很好與F-N公式吻合.但碳納米管尖端電流密度大于106 A/cm2時,碳納米管尖端處的有效電場強度受空間電荷的影響比較明顯,進而對碳納米管的場致發射特性顯現出不可忽略的影響,此時碳納米管的發射電流密度開始受到空間電荷的限制.

作 者： 張強 陳澤祥 朱炳金 王小菊 于濤 ZHANG Qiang CHEN Ze-xiang ZHU Bing-jin WANG Xiao-ju YU Tao   作者單位： 電子科技大學,光電信息學院,四川,成都,610054  刊 名： 發光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O462.4 TN873.95  關鍵詞： 空間電荷效應   碳納米管   場致發射   微波等離子體化學氣相沉積  

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