量子阱結構中的等效寬度分析

在有效質量近似下,分析了有限深勢阱的電子基態能級,并和有相同能級的無限深勢阱模型作比較,用數值方法得到了不同電場下兩者之間的阱寬的關系 ,首次得出經驗公式,發現結果與前人的實驗和理論結果吻合得很好.分析了兩種模型下的波函數和結合能,證實了有外加電場時采用零電場下的等效寬度的合理性.

作 者： 周小平 周劍英 楊愛齡 李錫華 江曉清 王明華   作者單位： 浙江大學信息與電子工程學系,杭州,310027  刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(7)  分類號： O471.1  關鍵詞： 量子阱   等效寬度   結合能   GaAs/GaAlAs  

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