含磷組分薄膜對InGaAsP/InP多量子阱無序處理的影響?

報道了采用不同的電介質薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其組合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高純氮氣保護下經850℃、7s的快速退火處理,結果發現:含磷組分SiOxPyNz電介質薄膜包封下的InGaAsP/InP量子阱帶隙展寬十分顯著,高達224meV,PL譜峰值波長藍移342nm,半寬較窄僅為25nm,說明量子阱性能保持十分良好,并對此現象的成因做了初步分析.

作 者： 王永晨 張曉丹 趙杰 殷景志 楊樹人 張淑云   作者單位： 王永晨,張曉丹,趙杰(天津師范大學物理系,天津,300074)

殷景志,楊樹人(吉林大學電子工程系,長春,130023)

張淑云(天津第四半導體器件廠,天津,300111) 

刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(3)  分類號： O47  關鍵詞： 量子阱混合互擴   無雜質空位擴散   等離子體增強化學氣相淀積  

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