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自發發射因子調制下微腔半導體激光器的抗噪聲性能
在伴隨信號的噪聲為加性白噪聲和大輸入信噪比的前提下,采用小信號近似的方法,對微腔半導體激光器的自發發射因子調制進行了頻域分析,得到了實際語音信號輸入下不同參數下的信噪比增益.數值模擬的結果表明,如帶通濾波器的通帶范圍取300~3400Hz,激光器的抗噪聲性能隨偏置電流變化出現振蕩現象;當帶通濾波器的通帶范圍增大到一定程度,調整偏置電流和腔內參數可以實現半導體激光器的高抗噪聲性能.
作 者: 王英龍 褚立志 鄭云龍 周陽 張榮梅 閻正 尚勇 作者單位: 河北大學物理科學與技術學院,河北,保定,071002 刊 名: 中國激光 ISTIC EI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LASERS 年,卷(期): 2004 31(z1) 分類號: O433.2 關鍵詞: 微腔半導體激光器 自發發射因子調制 抗噪聲性能【自發發射因子調制下微腔半導體激光器的抗噪聲性能】相關文章:
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