激光誘導多孔硅晶格畸變的Raman光譜和光致發光譜研究

研究了摻鈦水熱法制備多孔硅的Raman光譜和光致發光譜.實驗發現,當激光功率較低時,多孔硅的Raman光譜在略低于520cm-1附近表現為一銳的單峰,和晶體硅的Raman光譜類似.隨激光功率增大,該單峰向低波數移動,Ramar和光致發光峰的強度與激光強度的一次方成正比.當激光功率增大到一定值時,該單峰分裂成兩個Raman峰,光致發光譜的強度突然增大,與激光強度之間不再滿足一次方的關系,位于低波數一側的Raman峰隨激光功率增大進一步向低波數移動.多孔硅Raman光譜隨激光功率的變化是由于激光誘導多孔硅的晶格畸變,導致LO和TO模的簡并解除引起的.同時,激光誘導晶格畸變可能使多孔硅由線性變為非線性光學材料,而且具有非常大的光致非線性吸收系數.更重要的是,多孔硅的Raman光譜和光致發光譜隨激光功率變化的現象是可逆的,這可能預示著多孔硅一些新的應用.

作 者： 梁二軍 晁明舉   作者單位： 鄭州大學河南省激光應用技術重點實驗室,鄭州,450052  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(11)  分類號： O4  關鍵詞： 多孔硅   Raman光譜   光致發光  

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