C+注入a-SiNx:H薄膜的微結構及光發射的研究

常溫下對低壓化學氣相沉積制備的納米硅鑲嵌結構的a-SiNx:H 薄膜進行低能量高劑量的C+注入后,在800～1 200 ℃高溫進行常規退火處理.X射線光電子能譜(XPS)及 X射線光電子衍射(XRD)等實驗結果表明,當退火溫度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分結構由SiCxNy轉變成SiNx和SiC的混合結構.低溫下利用真空紫外光激發,獲得分別來自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致發光光譜.隨著退火溫度的升高,薄膜的結構發生了變化,發光光譜也有相應的改變.

作 者： 陳超 劉渝珍 張國斌 徐彭壽 符義兵 董立軍 陳大鵬 CHEN Chao LIU Yu-zhen ZHANG Guo-bin XU Peng-shou FU Yi-bing DONG Li-jun CHEN Da-peng   作者單位： 陳超,劉渝珍,CHEN Chao,LIU Yu-zhen(中國科學院,研究生院,北京,100049)

張國斌,徐彭壽,符義兵,ZHANG Guo-bin,XU Peng-shou,FU Yi-bing(中國科學技術大學,安徽,合肥,230026)

董立軍,陳大鵬,DONG Li-jun,CHEN Da-peng(中國科學院,微電子研究所,北京,100029) 

刊 名： 發光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O482.31  關鍵詞： SiCN   C+離子注入   高溫退火   X射線光電子能譜(XPS)   光致發光(PL)  

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