Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制備、性能與光伏應用?

用共蒸發法制備了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜結構屬立方晶系空間群F43m.通過透射光譜的測量,計算光能隙,得到室溫時薄膜的光能隙隨組分x值的變化滿足二次方關系.作為對異質結界面的修飾,提出了有Cd1-x-ZnxTe過渡層的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu電池.并在相同工藝下制備了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu與CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太陽電池,發現前者比后者效率平均增加了35.0%.

作 者： 邵燁 鄭家貴 蔡道林 張靜全 蔡偉 武莉莉 蔡亞平 李衛 馮良桓   作者單位： 四川大學材料科學系,成都,610064  刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(2)  分類號： O484  關鍵詞： Cd1-xZnxTe薄膜   共蒸發法   CdTe太陽電池   光能隙  

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