Bi對(duì)自旋閥釘扎場(chǎng)的影響及機(jī)理

實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)將Bi插入自旋閥多層膜Ta/NiFe/Cu/Bi(x)/NiFe/FeMn中可以顯著地提高自旋閥的釘扎場(chǎng)Hex.采用XPS對(duì)Cu,Bi元素的分布情況進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)Bi的插入明顯抑制了Cu原子在自旋閥的制備過程中在NiFe/FeMn界面的偏聚.進(jìn)一步研究表明:自旋閥釘扎層 NiFe/FeMn界面中,Cu原子的存在是導(dǎo)致自旋閥Hex小于Ta/NiFe/FeMn多層膜H ex的主要原因.

作 者： 姜宏偉 李明華 于廣華 朱逢吾 鄭鵡   作者單位： 姜宏偉,鄭鵡(首都師范大學(xué)物理系,北京,100037)

李明華,于廣華,朱逢吾(北京科技大學(xué)材料物理系,北京,100083) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(6)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 自旋閥   釘扎場(chǎng)   交換各向異性   表面活化劑  

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