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ZnSe/SiO2半導體量子點玻璃的光譜特性
對采用溶膠凝膠法制備的ZnSe/SiO2半導體量子點玻璃的光譜性質進行了測試分析.UV-Vis透射光譜中觀察到光吸收邊相對于體相半導體有明顯藍移.穩態發射光譜(PL)中觀察到ZnSe納米晶體的位于藍區的基本呈高斯分布的弱的最低激子發射峰、強而寬的表面態發光帶以及對應雜質能級的三個銳峰發光.時間分辨熒光光譜(TRPL)中觀察到發光效率高的最低激子發射峰,并測量其熒光衰減壽命,經尾部擬合為28.5 ps.同時,結合有效質量近似(EMA)模型,估計ZnSe納米晶體的平均粒徑介于2.45～3.60 nm之間,尺寸分布基本呈高斯型.
作 者： 羅志徽 賀俊芳 汪敏強 張蘇娟 彭延湘 LUO Zhi-hui HE Jun-fang WANG Min-qiang ZHANG Su-juan PENG Yan-xiang 作者單位： 羅志徽,LUO Zhi-hui(中國科學院西安光學精密機械研究所,瞬態光學與光子技術國家重點實驗室,西安,710068;中國科學院研究生院,北京,100039)賀俊芳,張蘇娟,HE Jun-fang,ZHANG Su-juan(中國科學院西安光學精密機械研究所,瞬態光學與光子技術國家重點實驗室,西安,710068)
汪敏強,彭延湘,WANG Min-qiang,PENG Yan-xiang(西安交通大學,電子陶瓷與器件教育部重點實驗室,西安,710049)
刊 名： 光子學報 ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA 年，卷(期)： 2007 36(3) 分類號： O433.4 關鍵詞： 光譜學 UV-Vis透射光譜 穩態發射光譜 時間分辨熒光光譜 ZnSe/SiO2半導體量子點玻璃【ZnSe/SiO2半導體量子點玻璃的光譜特性】相關文章：
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