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量子點(diǎn)CdS電化學(xué)發(fā)光傳感器對DNA損傷研究
1 引言 量子點(diǎn)是一種新型發(fā)光材料，具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在磁學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、催化和化學(xué)傳感以及生物醫(yī)學(xué)等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。目前，量子點(diǎn)的合成方法主要包括沉淀法、水熱合成法、微波輔助法、模板法、電沉積法等。采用電沉積方法制備量子點(diǎn)，可以通過調(diào)控沉積條件控制量子點(diǎn)的粒度大小。但是在目前的研究報(bào)道中，多采用ITO玻璃和Pt等金屬作為基底，在玻碳電極表面沉積具有發(fā)光性能的CdS的研究罕見報(bào)道。目前，CdS量子點(diǎn)修飾的電化學(xué)發(fā)光傳感器的制備主要包括將CdS量子點(diǎn)制成碳糊電極、將已經(jīng)制備好的水溶性的CdS量子點(diǎn)直接滴涂到電極表面、通過層層自組裝將已經(jīng)制備好的水溶性的CdS量子點(diǎn)組裝到碳納米管修飾的玻碳電極上和通過核素一親和素將CdS量子點(diǎn)連接到電極表面等方法。以上這些方法，需要提前制備CdS量子點(diǎn)，比較復(fù)雜。本研究采用電化學(xué)沉積方法在電極表面修飾CdS，這種方法具有操作方便，程序簡單的優(yōu)點(diǎn)。
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