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高頻區具有大帶隙的二維像素型光子晶體結構
針對方塊像素組成的二維光子晶體,傳統平面波展開法可經修正使之收斂速度大大提高.采用快速算法,在高頻區域找到了一種具有穩定的較大絕對禁帶寬度的GaAs光子晶體結構,絕對禁帶寬度為0.0995ωe(ωe=2πc/a,a為晶格常量,c為光速),中心頻率為1.2625ωe.
作 者: 馮尚申 沈林放 何賽靈 肖三水 作者單位: 馮尚申(浙江大學現代光學儀器國家重點實驗室光及電磁波研究中心,杭州,310027;浙江臺州學院物理系,浙江省臨海,317000)沈林放,何賽靈,肖三水(浙江大學現代光學儀器國家重點實驗室光及電磁波研究中心,杭州,310027)
刊 名: 光學學報 ISTIC EI PKU 英文刊名: ACTA OPTICA SINICA 年,卷(期): 2003 23(9) 分類號: O488 關鍵詞: 光子晶體 像素型 快速平面波展開法 GaAs 絕對禁帶【高頻區具有大帶隙的二維像素型光子晶體結構】相關文章:
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