適于InGaAsP光放大器偏振不靈敏的增益介質

研制了適于InGaAsP光放大器偏振不靈敏的增益介質,采用有源區內交替的張應變和壓應變排列的混合應變量子阱結構,器件做成帶有傾角的扇形.實驗中發現該結構既抑制了激射又改善了器件的偏振靈敏性,實現了偏振靈敏度小于0.5 dB,100 mA偏置時可達0.1 dB.在較大的電流范圍內,峰的半高全寬(FWHM)為40 nm.

作 者： 殷景志 劉素萍 劉宗順 王新強 殷宗友 李正庭 楊樹人 杜國同   作者單位： 殷景志,王新強,殷宗友,李正庭,楊樹人,杜國同(吉林大學電子工程系,吉林,長春,130023)

劉素萍,劉宗順(中國科學院半導體所,北京,100083) 

刊 名： 中國激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2003 30(1)  分類號： O436.3  關鍵詞： 物理光學   InGaAsP   張應變阱   壓應變阱   偏振不靈敏   增益介質  

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