退火過程中自組織生長Ge量子點的變化?

在超高真空系統(tǒng)中,用掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)研究了自組織生長的Ge量子點經(jīng)不同溫度退火后的變化.實驗發(fā)現(xiàn),當退火溫度為630℃時,出現(xiàn)了許多新的量子點.與原來的在分子束外延過程中形成的無失配位錯的量子點相比,新形成的量子點被認為是存在位錯的島.

作 者： 胡冬枝 楊建樹 蔡群 張翔九 胡際璜 蔣最敏 Hu Dongzhi Yang Jianshu Cai Qun Zhang Xiangjiu Hu Jihuang Jiang Zuimin   作者單位： 復旦大學應用表面物理國家重點實驗室,上海,200433  刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(6)  分類號： O485  關(guān)鍵詞： 量子點   硅基材料   形貌評價   AFM   quantum dots   Si-based materials   evolution of morphology   atomic force microscopy  

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