分子束外延GaN薄膜的X射線光電子能譜和俄歇電子能譜研究

用XPS和AES電子能譜的方法對等離子體輔助分子束外延(MBE)生長的GaN薄膜進行了表面分析和深度剖析.發現紅外分子束外延(RF-MBE)生長的富鎵GaN薄膜實際表面存在O和C吸附層,C主要為物理吸附,而O在GaN表面形成局域化學鍵產生氧絡合物覆蓋層,并形成一定的深度分布.雜質O在GaN帶隙中導帶底形成雜質帶同時引入深受主能級,使得帶隙變窄室溫光吸收譜向低能方向移動,光致發光譜出現寬帶發光峰.從而影響GaN薄膜的電學和光學性質.

作 者： 苑進社 陳光德 齊鳴 李愛珍 徐卓   作者單位： 苑進社,陳光德(西安交通大學應用物理系,西安,710049)

齊鳴,李愛珍(中國科學院上海冶金研究所,上海,200050)

徐卓(西安交通大學電子材料研究所,西安,710049) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(12)  分類號： O4  關鍵詞： GaN薄膜   X射線光電子能譜   俄歇電子能譜   表面分析  

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